La tecnología de las memorias tipo MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory, o RAM magnetorresistiva) acaba de recibir un importante avance, gracias a los esfuerzos de un grupo de investigadores e ingenieros de la Escuela de Ingeniería y Ciencias Aplicadas de la Universidad de California (UCLA). Y gracias a aquello, este tipo de memorias podrían ser potencialmente hasta 1.000 veces más eficiente que las MRAM actuales.

Dicha nueva tecnología recibe el nombre de MeRAM (Magnetoelectric Random-access Memory, RAM magnetoeléctrica), y su diseño del proceso de trabajo incluye la manipulación del voltaje de las nano-estructuras apiladas en capas que componen este tipo de memorias. Con los cambios de voltaje, se mueven los electrones que van sobre cada capa y que escriben (o alteran) los datos almacenados en la memoria.

Con este nuevo tipo de procedimiento, se deja de lado la corriente eléctrica aplicada actualmente a la MRAM, que genera calor y que limita la densidad de los bits almacenados. La MeRAM diseñada por los investigadores permite, además de una mayor eficiencia en el consumo, aumentar hasta en cinco veces la densidad de los paquetes, y al ser memoria no volátil, se cree que potencialmente podría reemplazar a las memorias flash que hoy en día abundan en los dispositivos modernos.

Cabe mencionar que la tecnología detrás de las MRAM actuales ya es superior en algunos aspectos a las RAM tradicionales, pero su gran “punto en contra” es justamente el calor que generan al trabajar. De ahí que desde la UCLA resalten la eficiencia energética como una de las principales ventajas de esta nueva MeRAM, pero además los investigadores creen que es “igualmente importante el hecho de que permite MRAM extremadamente densas”, lo que abre las puertas para “nuevas áreas de aplicación donde los costos y las capacidades son las principales barreras a superar”.

Link: UCLA engineers develop new energy-efficient computer memory using magnetic materials (vía Techreport)

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